离子束刻蚀（离子束刻蚀的特点）

离子束刻蚀

碲镉汞（Hg1-xCdxTe）材料可以通过组分x值的改变来制备各种波段的红外探测器，离子束刻蚀，在光电器件、传感器和环境检测等领域有着广泛的应用。随着近些年新一代HgCdTe焦平面探测器的崛起，使得碲镉汞探测器逐步向大规模、高集成发展。探测器光敏元尺寸和芯片线宽的日益减小，都需要高深宽比的沟槽隔离技术来实现，这对芯片成型工艺中重要的一环———离子束刻蚀工艺提出了更高的深宽比要求。

离子束刻蚀（离子束刻蚀的特点）

为实现这些列阵的有效隔离和达到高的深宽比，中国科学院上海技术物理研究所的贾嘉等研究人员进行了离子束刻蚀碲镉汞沟槽的工艺研究，重点分析了选用不同光刻胶型号、改变刻蚀角度以及使用三栅离子源对刻蚀深宽比的影响。

1、离子束刻蚀简介及评价参数

离子束刻蚀的特点

近来有网络媒体称，“中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机，性能优良，将用于全球首条5纳米芯片制程生产线”，并评论说“中国芯片生产技术终于突破欧美封锁，第一次占领世界制高点”“中国弯道超车”等等。

中微公司的刻蚀机的确水平一流，但夸大阐述其战略意义，离子束刻蚀，则被相关专家反对。刻蚀只是芯片制造多个环节之一。刻蚀机也不是对华禁售的设备，离子束刻蚀，在这个意义上不算“卡脖子”。

首先，外行容易混淆“光刻机”和“刻蚀机”。光刻机相当于画匠，刻蚀机是雕工。前者投影在硅片上一张精细的电路图(就像照相机让胶卷感光)，后者按这张图去刻线(就像刻印章一样，腐蚀和去除不需要的部分)。

光刻机是芯片制造中用到的最金贵的机器，要达到5纳米曝光精度难比登天，ASML公司一家通吃高端光刻机；而刻蚀机没那么难，中微的竞争对手还有应用材料、泛林、东京电子等等，国外巨头体量优势明显。

离子束刻蚀机

离子束薄膜沉积与刻蚀设备主要用于精密光学、电子、半导体、玻璃以及太阳能薄膜等行业，是众多基础工业领域的关键生产设备。但由于其核心部件受制于人，以及相关的基础研发和试验需要持续投入大量的时间和人力物力，造成此类设备的国产化进程一直发展缓慢。

近日，博顿光电全新推出全自主研发的国产化高端离子束镀膜机和离子束刻蚀机，满足迫切的客户需求，离子束刻蚀，为行业前进推波助澜。

博顿开阳OPIE1550镀膜机

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（IBE/RIBE）

博顿玉衡RIBER离子束刻蚀机

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