更新时间:2023-02-22 10:01:36
价格:面议 型号:Star100TetraCo
品牌:FHR热度:253
简要描述:更多信息详见官网:www.longsun.asia磁控溅射镀膜机寸靶Star100TetraCo用于多功能膜层沉积的共溅射设备适于传感器,微电子和光电子领域应用一、设备介绍FHR.Star.100-TetraCo是-款特殊设计,结构紧凑的溅射台,用于晶片类基底或基底承载器的工艺处
更多信息详见官网:www.longsun.asia
Star100TetraCo
用于多功能膜层沉积的共溅射设备
适于传感器,微电子和光电子领域应用
一、设备介绍
FHR.Star.100-TetraCo是-款特殊设计,结构紧凑的溅射台,用于晶片类基底或基底承载器的工艺处理。该设备包含-个上料盒式进样室,-个处理腔室和-个由3个溅射源和1个预清洗刻蚀器的工艺腔室,全部遵照共焦几何设计。镀膜工艺通过不加热的背板盛放基底承载器并旋转实现。溅射源安装在100mm的阴极和挡板之间,挡板为气动控制,可实现依次溅射或共溅射镀膜。另外,每个溅射源可轴向和水平方向调节,因此,可实现不同高基底多种靶基距范围的镀膜工艺。机械手通过上料盒升降装置的上下移动传输基底承载器。基底的依次镀膜工艺通过自动编程自动得以实现。
二:适用工艺
1.反应和无反应磁控溅射(直流方式)
2.预处理(例如,等离子刻蚀)
3.对旋转基底承载器的共溅射
三、客户优势
1.结构紧凑,占用空间少
2.洁净室内使用设备,可通过洁净室隔离墙实现
3.设备维护高效便捷
4.投资和运行成本具吸引力
四、关键指标
1.设备尺寸(长x宽x高),重量:3500mm1650mm2600mm,<2000kg
2.基片Max尺寸:150mm
3.载片器:220mm
4.膜厚非均匀性3%
5.溅射源:3xFHR.SC100-DC
6.刻蚀源:1xFHR.IEC150-RF
7.本底真空:5x10-7mbar
8.工艺气体:氩气(Ar),氧气(O2)
五、特殊性能
1.旋转式基底承载器
2.靶基距可调
3.全自动工艺控制
4.CE认证
5.制造
六、可选方案
1.中频溅射
2.射频溅射
3.基底承载器加热(T<500C)
4.标准晶片上料盒
5.定制上料盒式进样室
七、典应用
1.MEMS和传感器领域多层膜
2.微电和光电领域功能膜
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