半导体行业应用：滴定法测定过氧化氢含量（过氧化物滴定）

半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用。

其中，过氧化氢在半导体行业起到非常关键的作用，常常作为硅片清洁剂，印刷电路板刻蚀剂以及处理金属杂质。

半导体行业应用：滴定法测定过氧化氢含量（过氧化物滴定）

本次实验采用T960全自动滴定仪测定某半导体上游厂家的工业药水中过氧化氢的含量，用以验证电位滴定法检测工业药水中的过氧化氢方法是否可行。

实验方案

仪器与

试剂

仪器

T960全自动滴定仪，复合铂电极，容量瓶，分析天平等。

试剂

c=0.1mol/L的KMnO4

实验方法

实验过程

用减重称量法准确称取1g试样（精确至0.0001g)于滴定杯中，加入50mL去离子水，再加入10mL20%的硫酸溶液，放置于滴定台上，启动事先编辑好的方法，用高锰酸钾滴定液进行滴定，同时做空白实验。

仪器参数如表所示：

表1过氧化氢测定滴定仪参数设置

滴定类型

动态滴定

方法名

高锰酸钾滴定过氧化氢

滴定管体积

10mL

样品计量单位

g

工作电极

复合铂电极

参比电极

无

搅拌速度

7

预搅拌时间

5s

电极平衡时间

4s

电极平衡电位

1mV

滴定速度

标准

滴定前平衡电位

6mV

每次添加体积

0.02mL

结束体积

20mL

电位突跃量

3500

相关系数

1.701

滴定剂名称

高锰酸钾

理论浓度

0.1

结果与讨论

实验结果

样品经测试，得到实验结果如表2所示：

表2过氧化氢含量测定

样品名称

取样量（g）

c(KMnO

4

/mol/L

滴定样品体积V1/mL

滴定空白体积V2/mL

过氧化氢含量（%）

平均值(%)

RSD(%)

0

1.7027

0.10502

3.550

0.02

0.3704

0.3696

0.2035

1.5564

3.240

0.3696

1.7120

3.555

0.3689

40

1.25508

2.610

0.3686

0.3642

1.069

1.22858

2.505

0.3613

1.2633

2.584

0.3626

98

1.07280

3.298

0.5458

0.5497

0.6222

1.05984

3.295

0.5520

1.17048

3.633

0.5514

100

1.05133

3.326

0.5617

0.5621

1.025

1.09510

3.432

0.5566

1.06760

3.415

0.5681

150

1.16444

4.170

0.6367

0.6426

0.8119

1.16517

4.225

0.6447

1.23868

4.503

0.6465

滴定图谱

样品150滴定图谱

​结论

本次测试通过T960全自动滴定仪测定工业水中过氧化氢含量，数据重复性好，而且使用仪器判断减少了人工误差，大大提高了实验的精度。并且可以一机多用，大大节省了人力物力，因此电位滴定法是该类样品的不错选择。