碳化硅坩埚（氧化铝坩埚）

碳化硅坩埚

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碳化硅坩埚（氧化铝坩埚）

碳化硅坩埚

二、产品特点1、极低的磨耗量，可防止物料污染。2、适用于各种研磨和分散的场合。3、极高的研磨效率。4、极长的使用寿命，综合运行成本较低。

碳化硅坩埚定制

三、理化指标

四、应用领域

碳化硅坩埚

1、钢铁矿山

碳化硅制品制作的高炉输渣管道、除尘管道、水冲渣流槽，其耐磨性、防腐性显示出优越性，使用期可达5-8年，耐磨性，经济性均优于铸石和工业陶瓷。使用在矿山的精矿矿槽、下矿箱及输料流槽上效果更佳。在选矿上使用的碳化硅耐磨泵是理想的耐磨设备。

2、火力发电

碳化硅制品做内衬的铁弯管、混煤器、排粉风机都是火力发电厂的耐磨设备，一次使用期8-10年。

氧化铝坩埚

综合以上分析可知，在碳化硅的制备过程中，一次性价格高昂耗材占比过重是导致碳化硅衬底生产成本高的原因之一。坩埚（石墨件）指以一定粒径的石墨粉高压压制后高温长时间煅烧制成的器皿，具有耐高温、导热性能强、抗腐蚀性能好、寿命长等特点，是碳化硅晶体生长过程中的耗材之一，其在碳化硅衬底生产原料中到2021年占比达到45%以上，而且其占比还呈现一种上升趋势，这是碳化硅制备成本高昂的很大一个原因。

（二）制备工艺条件要求高

PVT法指PhysicalVaporTransportation，碳化硅坩埚，物理气相传输法，一种常见的碳化硅晶体生长方法，在2,300°C以上高温、接近真空的低压下加热碳化硅粉料，碳化硅坩埚，使其升华产生包含Si、Si2C、SiC2等不同气相组分的反应气体；由于固相升华反应形成的Si、C成分的气相分压不同，Si/C化学计量比随热场分布存在差异，需要使气相组分按照设计的热场和温梯进行分布和传输，使组分输运至生长腔室既定的结晶位置；为了避免无序的气相结晶形成多晶态碳化硅，在生长腔室顶部设置碳化硅籽晶（种子），输运至籽晶处的气相组分在气相组分过饱和度的驱动下在籽晶表面原子沉积，生长为碳化硅单晶。以上碳化硅单晶制备的整个固-气-固反应过程都处于一个完整且密闭的生长腔室内，反应系统的各个参数相互耦合，任意生长条件的波动都会导致整个单晶生长系统发生变化，影响碳化硅晶体生长的稳定性；此外，碳化硅单晶在其结晶取向上的不同密排结构存在多种原子连接键合方式，从而形成200多种碳化硅同质异构结构的晶型，且不同晶型之间的能量转化势垒极低。因此，在PVT单晶生长系统中极易发生不同晶型的转化，导致目标晶型杂乱以及各种结晶缺陷等严重质量问题。故需采用专用检测设备检测晶锭的晶型和各项缺陷。

碳化硅坩埚耐高温多少度

Lely法，又称升华法，其基本原理是：在空心圆筒状石墨坩埚中（最外层石墨坩埚，内置多孔石墨环），将具有工业级纯度的碳化硅粉料投入坩埚与多孔石墨环之间加热到2500℃，碳化硅在此温度下分解与升华，产生一系列气相物质比如硅单晶、Si2C和SiC2等。由于坩埚内壁与多孔石墨环之间存在温度梯度，这些气相物质在多孔石墨环内壁随机生成晶核。但Lely法产率低，晶核难以控制，而且会形成不同结构，尺寸也有限制。

随着研究的深入，研究者提出了改进Lely法，也称为物理气相传输(PVT)法，在Lely法的基础上进行改进，将升华生长炉中引入籽晶，设计合适的温度梯度以控制SiC源到籽晶的物质运输，可以控制控制晶核和晶向，这种方法可以获得更大直径和较低扩展缺陷密度的SiC晶体。随着生长工艺的不断改进，采用该方法已实现产业化的公司有美国的Cree、Dowcorning、Ⅱ-Ⅵ，德国的SiCrystal，日本的NipponSteel，碳化硅坩埚，中国的山东天岳、天科合达等。